IR2112S

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
IR2112S P1
IR2112S P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IR2112S

Artikelnummer
IR2112S
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IR2112S.pdf IR2112S PDF online browsing
Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Produktparameter

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Artikelnummer IR2112S
Teilstatus Obsolete
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10 V ~ 20 V
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA
Eingabetyp Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) 600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 40ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket 16-SOIC

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