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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPS65R600E6AKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 63W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 | - | 49 | Einzelheiten |