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Infineon Technologies ~ IPP65R150CFDXKSA1

Artikelnummer	IPP65R150CFDXKSA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	22.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 900µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2340pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	195.3W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 9.3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
IPP65R045C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3	-	729	Einzelheiten
IPP65R065C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V TO-220-3		0	Einzelheiten
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IPP65R150CFDXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220		2455	Einzelheiten
IPP65R150CFDXKSA2	Infineon Technologies	HIGH POWERLEGACY	-	6011	Einzelheiten