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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPD50R800CEBTMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R280CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R280CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | - | 12100 | Einzelheiten |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R2K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R380CE | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R380CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD50R380CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | - | 6626 | Einzelheiten |