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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPB60R099CP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 255W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPB600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3 | - | 2000 | Einzelheiten |
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IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3 | - | 45480 | Einzelheiten |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 17734 | Einzelheiten |
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IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 22187 | Einzelheiten |
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IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 19308 | Einzelheiten |
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IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 3000 | Einzelheiten |
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IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 15017 | Einzelheiten |