Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 120V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13800pF @ 60V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB038N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 | - | 2000 | Einzelheiten |
 |
IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 | - | 20277 | Einzelheiten |