IHD10N60RA

IGBT 600V 20A 110W TO252-3
IHD10N60RA P1
IHD10N60RA P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IHD10N60RA

Artikelnummer
IHD10N60RA
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IHD10N60RA.pdf IHD10N60RA PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IHD10N60RA
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 30A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 10A
Leistung max 110W
Energie wechseln 270µJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 62nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -/170ns
Testbedingung 400V, 10A, 23 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3

Verwandte Produkte

Alle Produkte