IFS75B12N3E4B31BOSA1

MOD IGBT LOW PWR ECONO
IFS75B12N3E4B31BOSA1 P1
IFS75B12N3E4B31BOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IFS75B12N3E4B31BOSA1

Artikelnummer
IFS75B12N3E4B31BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOD IGBT LOW PWR ECONO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer IFS75B12N3E4B31BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 385W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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