FF150R12KE3GHOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 150A
FF150R12KE3GHOSA1 P1
FF150R12KE3GHOSA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FF150R12KE3GHOSA1

Artikelnummer
FF150R12KE3GHOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FF150R12KE3GHOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer FF150R12KE3GHOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 225A
Leistung max 780W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

Verwandte Produkte

Alle Produkte