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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BFP640FESDH6327XTSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 46GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Gewinnen | 8B ~ 30.5dB |
| Leistung max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BFP640FE6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 | - | 0 | Einzelheiten |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP | - | 0 | Einzelheiten |
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BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP | - | 0 | Einzelheiten |