BFP 520F E6327

TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
BFP 520F E6327 P1
BFP 520F E6327 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BFP 520F E6327

Artikelnummer
BFP 520F E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BFP 520F E6327 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer BFP 520F E6327
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 3.5V
Frequenz - Übergang 45GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.95dB @ 1.8GHz
Gewinnen 22.5dB
Leistung max 100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket 4-TSFP

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