GP2M008A060CG

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
GP2M008A060CG P1
GP2M008A060CG P2
GP2M008A060CG P1
GP2M008A060CG P2
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Global Power Technologies Group ~ GP2M008A060CG

Artikelnummer
GP2M008A060CG
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer GP2M008A060CG
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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