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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MURT10005R |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 75ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT20005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER | 0 | Einzelheiten | |
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MURT20005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER | 0 | Einzelheiten |