MBR20060CTR

DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
MBR20060CTR P1
MBR20060CTR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ MBR20060CTR

Artikelnummer
MBR20060CTR
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR20060CTR.pdf MBR20060CTR PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MBR20060CTR
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 100A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Kreuzung -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Lieferantengerätepaket Twin Tower

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