GBPC35010T

DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W
GBPC35010T P1
GBPC35010T P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ GBPC35010T

Artikelnummer
GBPC35010T
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Brückengleichrichter
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Produktparameter

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Artikelnummer GBPC35010T
Teilstatus Active
Dioden-Typ Single Phase
Technologie Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) 1000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 17.5A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 1000V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart QC Terminal
Paket / Fall 4-Square, GBPC
Lieferantengerätepaket GBPC

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