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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
| Zugriffszeit | 150ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 44-TSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MB85R4001ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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MB85R4002ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 44TSOP | - | 834 | Einzelheiten |