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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSR1N60BTM |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 900mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 450mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSR1N60BTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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SSR1N60BTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK | - | 258721 | Einzelheiten |
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SSR1N60BTM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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SSR1N60BTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK | 5000 | Einzelheiten |