FQB6N60TM

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
FQB6N60TM P1
FQB6N60TM P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQB6N60TM

Artikelnummer
FQB6N60TM
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FQB6N60TM
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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