FDP036N10A

MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
FDP036N10A P1
FDP036N10A P2
FDP036N10A P1
FDP036N10A P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDP036N10A

Artikelnummer
FDP036N10A
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDP036N10A
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 116nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7295pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 333W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3

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