FDG314P

MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
FDG314P P1
FDG314P P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDG314P

Artikelnummer
FDG314P
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDG314P
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 650mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 63pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 750mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-6
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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