FDFS2P103

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
FDFS2P103 P1
FDFS2P103 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDFS2P103

Artikelnummer
FDFS2P103
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDFS2P103
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 528pF @ 15V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (Max) 900mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 5.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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