FDD86113LZ

MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
FDD86113LZ P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD86113LZ

Artikelnummer
FDD86113LZ
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDD86113LZ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 4.2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA)
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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