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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FDD86110 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2265pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 127W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |