FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDB029N06 P1
FDB029N06 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB029N06

Artikelnummer
FDB029N06
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDB029N06
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9815pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 231W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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