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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1N960BTR |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 7.5 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 6.9V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | Einzelheiten |
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1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | Einzelheiten |
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1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | Einzelheiten |
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1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | Einzelheiten |
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1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | Einzelheiten |
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1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | Einzelheiten | |
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1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | Einzelheiten |
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1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | Einzelheiten |