EPC2202

GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC2202 P1
EPC2202 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

EPC ~ EPC2202

Artikelnummer
EPC2202
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 80V 18A DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer EPC2202
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Vgs (Max) +5.75V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 415pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die Outline (6-Solder Bar)
Paket / Fall Die

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