EPC2033

TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
EPC2033 P1
EPC2033 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

EPC ~ EPC2033

Artikelnummer
EPC2033
Hersteller
EPC
Beschreibung
TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- EPC2033 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer EPC2033
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 31A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 75V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 25A, 5V
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die

Verwandte Produkte

Alle Produkte