EPC2032

TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
EPC2032 P1
EPC2032 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

EPC ~ EPC2032

Artikelnummer
EPC2032
Hersteller
EPC
Beschreibung
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EPC2032.pdf EPC2032 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer EPC2032
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 48A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 11mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 50V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die

Verwandte Produkte

Alle Produkte