EPC2029

TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
EPC2029 P1
EPC2029 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

EPC ~ EPC2029

Artikelnummer
EPC2029
Hersteller
EPC
Beschreibung
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer EPC2029
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 48A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 40V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 30A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die

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