EPC2001

TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
EPC2001 P1
EPC2001 P1
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EPC ~ EPC2001

Artikelnummer
EPC2001
Hersteller
EPC
Beschreibung
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer EPC2001
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 50V
Vgs (Max) +6V, -5V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 25A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die Outline (11-Solder Bar)
Paket / Fall Die

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