ZXTN2010GTA

TRANS NPN 60V 6A SOT223
ZXTN2010GTA P1
ZXTN2010GTA P2
ZXTN2010GTA P1
ZXTN2010GTA P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ ZXTN2010GTA

Artikelnummer
ZXTN2010GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 60V 6A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer ZXTN2010GTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 6A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 300mA, 6A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Leistung max 3W
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223

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