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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXM61P02FTC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | - | 102000 | Einzelheiten |
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ZXM61N02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | - | 20000 | Einzelheiten |
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | - | 15000 | Einzelheiten |
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ZXM61N03FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | - | 114000 | Einzelheiten |
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ZXM61P02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | - | 22284 | Einzelheiten |
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ZXM61P03FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXM62N03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | 0 | Einzelheiten | |
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ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | - | 1000 | Einzelheiten |
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | - | 9000 | Einzelheiten |
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ZXM62P03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 | - | 48000 | Einzelheiten |