ZVNL120GTA

MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
ZVNL120GTA P1
ZVNL120GTA P2
ZVNL120GTA P1
ZVNL120GTA P2
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Diodes Incorporated ~ ZVNL120GTA

Artikelnummer
ZVNL120GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer ZVNL120GTA
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 320mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 250mA, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA

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