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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMTH6004SCT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4556pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.65 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB | - | 38691 | Einzelheiten |
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | - | 79 | Einzelheiten |
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DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | - | 2400 | Einzelheiten |
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DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | - | 103814 | Einzelheiten |
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DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T | - | 48383 | Einzelheiten |
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DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 103814 | Einzelheiten |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 | - | 75165 | Einzelheiten |
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DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | - | 25000 | Einzelheiten |
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DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | - | 5000 | Einzelheiten |
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DMTH10H015SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | - | 123776 | Einzelheiten |
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DMTH10H015SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | - | 103106 | Einzelheiten |