DMT6018LDR-13

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
DMT6018LDR-13 P1
DMT6018LDR-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT6018LDR-13

Artikelnummer
DMT6018LDR-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer DMT6018LDR-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V
Leistung max 1.9W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket V-DFN3030-8

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