DMPH6050SFGQ-7

MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
DMPH6050SFGQ-7 P1
DMPH6050SFGQ-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMPH6050SFGQ-7

Artikelnummer
DMPH6050SFGQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMPH6050SFGQ-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1.293nF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerVDFN

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