Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMP21D5UFB4-7B

Artikelnummer	DMP21D5UFB4-7B
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	700mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.2V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	46.1pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	460mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	970 mOhm @ 100mA, 5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	X2-DFN1006-3
Paket / Fall	3-XFDFN

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMP2100U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23	-	48000	Einzelheiten
DMP2100UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB	-	0	Einzelheiten
DMP2100UFU-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6	-	0	Einzelheiten
DMP2100UFU-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6	-	3000	Einzelheiten
DMP2101UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB	-	21008	Einzelheiten
DMP2104LP-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN	-	60000	Einzelheiten
DMP2104V-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563	-	0	Einzelheiten
DMP210DUDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963	-	410000	Einzelheiten
DMP210DUFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006	-	3000	Einzelheiten
DMP210DUFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006	-	0	Einzelheiten
DMP2110U-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V SOT23 TR 1	-	783303	Einzelheiten
DMP2110U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V SOT23-3	-	6781	Einzelheiten