DMP1055USW-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
DMP1055USW-7 P1
DMP1055USW-7 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMP1055USW-7

Artikelnummer
DMP1055USW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer DMP1055USW-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1028pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 660mW
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-363
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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