DMN65D8LDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
DMN65D8LDW-7 P1
DMN65D8LDW-7 P2
DMN65D8LDW-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN65D8LDW-7

Artikelnummer
DMN65D8LDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN65D8LDW-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 180mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Leistung max 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363

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