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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMN61D9UWQ-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28.5pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 440mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323 |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | - | 70000 | Einzelheiten |
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DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 | - | 39000 | Einzelheiten |
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DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | - | 9000 | Einzelheiten |
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DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 | - | 3000 | Einzelheiten |
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DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | - | 20000 | Einzelheiten |
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DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | - | 18000 | Einzelheiten |
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DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | - | 0 | Einzelheiten |