DMN3009SFG-13

MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
DMN3009SFG-13 P1
DMN3009SFG-13 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN3009SFG-13

Artikelnummer
DMN3009SFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN3009SFG-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 900mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerWDFN

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