DMN1008UFDF-13

MOSFET N-CH30V SC-59
DMN1008UFDF-13 P1
DMN1008UFDF-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN1008UFDF-13

Artikelnummer
DMN1008UFDF-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH30V SC-59
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN1008UFDF-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23.4nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 995pF @ 6V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad

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