DMC3026LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
DMC3026LSD-13 P1
DMC3026LSD-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMC3026LSD-13

Artikelnummer
DMC3026LSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMC3026LSD-13
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.5A, 6.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 641pF @ 15V
Leistung max 1.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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