2DB1182Q-13

TRANS PNP 32V 2A TO252
2DB1182Q-13 P1
2DB1182Q-13 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ 2DB1182Q-13

Artikelnummer
2DB1182Q-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS PNP 32V 2A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 2DB1182Q-13 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer 2DB1182Q-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 32V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V
Leistung max 10W
Frequenz - Übergang 110MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252

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