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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CWDM3011P TR13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 8V |
| Vgs (Max) | 20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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CWDM3011N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | - | 15000 | Einzelheiten |
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CWDM3011P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | - | 5000 | Einzelheiten |
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CWDM305N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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CWDM305ND TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC | - | 2500 | Einzelheiten |
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CWDM305P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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CWDM305PD TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |