AON6718L_101

MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
AON6718L_101 P1
AON6718L_101 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6718L_101

Artikelnummer
AON6718L_101
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AON6718L_101
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4463pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Fall 8-DFN

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