AON1606_001

MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
AON1606_001 P1
AON1606_001 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON1606_001

Artikelnummer
AON1606_001
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AON1606_001
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 850nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62.5pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 900mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 275 mOhm @ 400mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 3-DFN (1.0 x 0.60)
Paket / Fall 3-UFDFN

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