AOB12N65L

MOSFET NCH 650V 12A TO263
AOB12N65L P1
AOB12N65L P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB12N65L

Artikelnummer
AOB12N65L
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET NCH 650V 12A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AOB12N65L.pdf AOB12N65L PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AOB12N65L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 278W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 720 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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