ALD1101BSAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD1101BSAL P1
ALD1101BSAL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD1101BSAL

Artikelnummer
ALD1101BSAL
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer ALD1101BSAL
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 10.6V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 40mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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