BSC030P03NS3 G

MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
BSC030P03NS3 G P1
BSC030P03NS3 G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ BSC030P03NS3 G

Một phần số
BSC030P03NS3 G
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- BSC030P03NS3 G PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số BSC030P03NS3 G
Trạng thái phần Active
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 345µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±25V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 50A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TDSON-8
Gói / Trường hợp 8-PowerTDFN

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm